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| 研究室簡介 |
 本校(中正大學)與彰化師範大學、雲林科技大學於民國91年共同建立校際聯合研究中心「台灣自旋科技研究中心」，本中心英文名稱為「Taiwan Spin Phenomena Integrated Nanotechnogy Research Center」，簡稱為「Taiwan SPIN Research Center」。本中心也結合台灣地區多所大學及研究機構組成龐大的研發團隊。中心設立宗旨在於探討電子的自旋現象與其相關物理的基礎研究以及積體奈米科技的應用開發，並培養自旋電子學 (Spintronics)方面的研究人才。透過核心技術之開發及其相關的基礎研究，冀望成為國際性自旋電子學與自旋電子元件之研究重鎮，並提高台灣在此相關領域的國際聲望。
「台灣自旋科技研究中心」並於民國92年10月獲得經濟部技術處的學界科專計畫之資助，規劃四年時間開發磁阻式隨機存取記憶體（MRAM之核心技術，四年期間鎖定以電子束製程來刻劃製作超高密度的MRAM，並朝向奈米級位元目標發展。本團隊的相關研究人員在這4年中嘗試MRAM的製造與測試，集中人力及物力投入MRAM的研發，在相關技術上有所突破，並製作出100 nm以下高密度的MRAM記憶元。MRAM具有非揮發性、快存取、低功率、高集積密度等優點，目前Freescale已有4 Mbits的產品，未來將有可能成為記憶體的主流產品。MRAM是一個相當精密及新穎的自旋電子積體元件，要達到超高容量密度及良好的整體表現，很多工程問題尚需解決，如降低讀寫的電流、磁膜間的交互作用、邊際效應與形狀大小、電、磁傳輸等物理機制。
近年來半導體產業面臨到轉型的壓力，而自旋電子學相關研究掀起一波研究熱潮，美國在十幾年前就積極投入人力財力開發相關的技術，而韓國也在1999年初於KIAST成立一Spintronics Institute 來整合全國磁性學界的力量；日本也於2000年整合各大公司及12個大學的研究人力成立對策研究小組；中國也有兩個以上的全國性大型計畫由中科院及南京大學領銜。為了因應世界潮流與國內科技發展的需要，結合了中部三所大學的研究人才，成立了台灣第一個以自旋電子元件為研究目的研究中心，本中心研究人員在前瞻磁性技術領域有多年研究經驗與成果，以研究自旋電子元件相關的應用與基礎特性為主要的宗旨。
四年前獲經濟部支助，研發磁阻式隨機存取記憶體的核心技術，更整合了國內的相關學者，組織強大的研發團隊，近四年來本中心訓練了許許多多的人才，也培育了許多博碩士生，目前已有豐富的研究成果，並有一些製程技術達到世界水準。
本中心以高容量密度MRAM之物理機制為初期研究主軸來輔補工業界在這方面研發經驗之不足。MRAM之集積密度在磁性材料方面主要取決於磁層結構與位元大小。我們將利用電子束奈米製程來刻劃製作超高密度的MRAM記錄位元(30 nm-50 nm)，了解在這樣微小尺寸下的磁反轉問題，直接切入以TMR為主的高密度MRAM機制的探討及30~50 nm之高密度製程及讀寫的技術。三年後推到(1)Current Induce Magnetization Switching (2)Perpendicular-MTJ (3)低耗能隨機存取記憶體。此外，本中心已有長期的願景規劃並已建立研究中心的核心設備及架構，且已凝聚自旋電子學相關的人員以及研究文化。中心未來將以自旋電子學相關應用領域的研究，推展自旋電子學相關的產業，及人材培育為主要發展方向及目標。研究領域將包括MRAM及Spin Transistors等Spin Transport有關之核心技術的開發及其相關的基礎研究，冀望成為國際性自旋電子學的研究重鎮及提高台灣相關領域的國際聲望。
中正大學 自旋中心聯絡資訊
總機號碼：05-2720411
分機號碼：16920(總機)16921(研究室)
傳真號碼：05-2723390
電子信箱：spin@ccu.edu.tw
單位網址：spin.ccu.edu.tw |
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